%0 Journal Article
%T 界面态产生/恢复中的反应扩散模型， 边界条件和初始值效应
%A 罗勇
%A 黄大鸣
%A 刘文军
%A 李名复
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 标准的反应扩散（RD）模型假设氧化层为无限厚和界面态初始值为零，然而这不符合MOS器件中的实际情况。在本论文中，我们用数值方法求解RD模型， 考虑氧化层为有限厚度和初始界面态密度不为零的情况。结果表明界面态的产生和恢复受栅氧化层/多晶硅界面条件的强烈影响。当假设H扩散在该界面为吸收边界条件时，RD模型与测到的CMOS器件在负偏压温度应力下产生的界面态情况更符合。结果同时表明非零的界面态初始值会增加NBTI幂函数关系中应力阶段的幂指数n。
%K 反应扩散（RD）模型，
%K 界面态产生/钝化，负偏压温度不稳定性，
%K 电荷泵(CP)，
%K DCIV
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F32354A3CED0295B10AE4C9028A1FF06&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=B1D62361FA06EF13&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0