Molecular beam epitaxy growth of InGaSb/AlGaAsSb strained quantum well diode lasers
2μm InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器的MBE生长研究

摘要：对InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱和GaSb接触层掺Te的MBE生长进行了研究。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)设备、光致发光谱(PL)测试，对应变量子阱的生长参数进行了优化。量子阱室温PL测试，发光波长为1.98 μm，半峰宽为115nm。通过Hall测试优化了GaSb外延掺Te的生长参数，最优的掺杂浓度为1.1271018 cm-3，电阻率为5.29510-3Ω?cm。