%0 Journal Article %T Molecular beam epitaxy growth of InGaSb/AlGaAsSb strained quantum well diode lasers
2μm InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器的MBE生长研究 %A Zhang Yu %A Wang Guowei %A Tang Bao %A Xu Yingqiang %A Xu Yun %A Song Guofeng %A
张宇 %A 王国伟 %A 汤宝 %A 徐应强 %A 徐云 %A 宋国锋 %J 半导体学报 %D 2011 %I %X 摘要:对InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱和GaSb接触层掺Te的MBE生长进行了研究。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)设备、光致发光谱(PL)测试,对应变量子阱的生长参数进行了优化。量子阱室温PL测试,发光波长为1.98 μm,半峰宽为115nm。通过Hall测试优化了GaSb外延掺Te的生长参数,最优的掺杂浓度为1.1271018 cm-3,电阻率为5.29510-3Ω?cm。 %K InGaSb %K AlGaAsSb %K strained quantum wells %K Te doped
分子束外延生长 %K 应变量子阱 %K 激光二极管 %K 原子力显微镜 %K 最佳生长温度 %K 最佳掺杂浓度 %K X射线衍射 %K 生长参数 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A0C0AC355ED3D774C7770A7E8A531081&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=BF6EBEDA5CF741F8&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10