A Ku-band 3.4 W/mm power AlGaN/GaN HEMT on a sapphire substrate
基于蓝宝石衬底的Ku波段3.4W/mm功率AlGaN/GaN HEMT

本文报道了国内第一个基于蓝宝石衬底的ku波段AlGaN/GaN HEMT。器件总栅宽0.5mm，栅长0.35um。漏压30V下器件的ft为20GHz，fmax为75GHz。在漏压30V、连续波测试条件下，器件在14GHz的线性增益为10.4dB，3dB增益压缩的输出功率为1.4W，附加效率41%。在脉冲测试条件下，线性增益12.8dB，3dB增益压缩的输出功率为1.7W，功率密度达到3.4W/mm。