%0 Journal Article
%T A Ku-band 3.4 W/mm power AlGaN/GaN HEMT on a sapphire substrate<br>基于蓝宝石衬底的Ku波段3.4W/mm功率AlGaN/GaN HEMT
%A Wang Dongfang
%A Chen Xiaojuan
%A Liu Xinyu
%A <br>王东方
%A 陈晓娟
%A 刘新宇
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文报道了国内第一个基于蓝宝石衬底的ku波段AlGaN/GaN HEMT。器件总栅宽0.5mm，栅长0.35um。漏压30V下器件的ft为20GHz，fmax为75GHz。在漏压30V、连续波测试条件下，器件在14GHz的线性增益为10.4dB，3dB增益压缩的输出功率为1.4W，附加效率41%。在脉冲测试条件下，线性增益12.8dB，3dB增益压缩的输出功率为1.7W，功率密度达到3.4W/mm。
%K AlGaN/GaN HEMT
%K Ku band
%K power<br>GaN/AlGaN
%K HEMT
%K Ku波段
%K 功率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C389E3BE06BE94A2435F136C4CF2914C&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=0B39A22176CE99FB&sid=563E011898016F5E&eid=0B39A22176CE99FB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0