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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
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Monolithically Fabricated OEICs Using RTD and MSM

Keywords: resonant tunneling diode,metal-semiconductor-metal photo detector,device simulation,monolithic optoelectronic integration
共振隧穿二极管
,金属-半导体-金属光电探测器,器件模拟,单片光电集成,resonant,tunneling,diode,metal-semiconductor-metal,photo,detector,device,simulation,monolithic,optoelectronic,integration,GaAs,working,theory,functions,photocurrent,factor,nearly,results,show,ratio,integrated,circuits,room,temperature,electronic,characteristics,devices,detectors,material,systems,resonant,tunneling,diodes,逻辑功能

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Abstract:

报道了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)与金属-半导体-金属光电探测器(MSM PD)单片集成的两种光电集成电路,并在室温条件下分别测试了RTD器件、MSM器件和集成电路的电学特性.测试表明:RTD器件的峰谷电流比为4;由于改进了在半绝缘GaAs衬底上制作MSM的方法,5V偏压下的电流由原来的2μA增加到了18μA,基本实现了两种电路的逻辑功能.

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