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半导体学报 2008
Development and Analysis of an RF Film Bulk Acoustic Resonator
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Abstract:
研制了一种采用氮化硅/二氧化硅/氮化硅复合膜作为支持薄膜的高Q薄膜体声波谐振器. 当采用单层氮化硅膜或二氧化硅膜作为谐振器的支持薄膜时，由于残余应力的作用，释放完的薄膜往往会出现褶皱的现象，极大地降低了薄膜体声波谐振器的Q值；上述复合膜结构有效地解决了这个问题. 采用直流磁控溅射法制备了氧化锌压电薄膜，X射线衍射结果表明制备的氧化锌薄膜具有很好的c轴择优取向，意味着氧化锌薄膜具有较好的压电性. S参数测试结果表明该薄膜体声波谐振器在0.4~2.6GHz的频率范围内具有3个明显的谐振模式，计算了这些谐振模式的串联谐振频率、并联谐振频率、有效机电耦合系数和Q值. 在这3个模式中，第3个谐波模式的工作频率约为2.4GHz，具有最高的Q值（约为500) ，可用来制备2.4GHz的低相噪射频振荡源.
