%0 Journal Article
%T Development and Analysis of an RF Film Bulk Acoustic Resonator<br>射频薄膜体声波谐振器的研制和分析
%A Tang Liang
%A Li Junhong
%A Hao Zhenhong
%A Qiao Donghai
%A <br>汤亮
%A 李俊红
%A 郝震宏
%A 乔东海
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 研制了一种采用氮化硅/二氧化硅/氮化硅复合膜作为支持薄膜的高Q薄膜体声波谐振器. 当采用单层氮化硅膜或二氧化硅膜作为谐振器的支持薄膜时，由于残余应力的作用，释放完的薄膜往往会出现褶皱的现象，极大地降低了薄膜体声波谐振器的Q值；上述复合膜结构有效地解决了这个问题. 采用直流磁控溅射法制备了氧化锌压电薄膜，X射线衍射结果表明制备的氧化锌薄膜具有很好的c轴择优取向，意味着氧化锌薄膜具有较好的压电性. S参数测试结果表明该薄膜体声波谐振器在0.4~2.6GHz的频率范围内具有3个明显的谐振模式，计算了这些谐振模式的串联谐振频率、并联谐振频率、有效机电耦合系数和Q值. 在这3个模式中，第3个谐波模式的工作频率约为2.4GHz，具有最高的Q值（约为500) ，可用来制备2.4GHz的低相噪射频振荡源.
%K film bulk acoustic resonator
%K oscillator
%K filter
%K composite diaphragm
%K ZnO<br>薄膜体声波谐振器
%K 振荡器
%K 滤波器
%K 复合膜
%K 氧化锌
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E5FB89F876CD1CA1AF88F65BE5940452&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A07AB8F8354CD3EE&eid=531DED06424ADE72&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7