A 23 GHz low power VCO in SiGe BiCMOS technology
基于SiGe BiCMOS技术的低功耗23G VCO

文章呈现了一个超低功耗的23G 压控振荡器（VCO），以及集成毫米波VCO的设计与测试。VCO 采用片内电感和MOS变容管构成高Q值的谐振槽。该VCO采用特征频率为120GHz的0.18um SiGe HBT BiCMOS工艺实现。振荡频率为23GHz，主要应用于超宽带和短距离雷达。VCO核工作于2.5V电源电压，消耗1mA电流，1MHz频偏处的相位噪声为-94dBc/Hz。VCO的FOM值达到-177dBc/Hz。