%0 Journal Article
%T A 23 GHz low power VCO in SiGe BiCMOS technology<br>基于SiGe BiCMOS技术的低功耗23G VCO
%A Huang Yinkun
%A Wu Danyu
%A Zhou Lei
%A Jiang Fan
%A Wu Jin
%A Jin Zhi
%A <br>黄银坤
%A 吴旦昱
%A 周磊
%A 江帆
%A 武锦
%A 金智
%J 半导体学报
%D 2013
%I 
%X 文章呈现了一个超低功耗的23G 压控振荡器（VCO），以及集成毫米波VCO的设计与测试。VCO 采用片内电感和MOS变容管构成高Q值的谐振槽。该VCO采用特征频率为120GHz的0.18um SiGe HBT BiCMOS工艺实现。振荡频率为23GHz，主要应用于超宽带和短距离雷达。VCO核工作于2.5V电源电压，消耗1mA电流，1MHz频偏处的相位噪声为-94dBc/Hz。VCO的FOM值达到-177dBc/Hz。
%K VCO
%K low power
%K SiGe BiCMOS<br>VCO，低功耗，SiGe
%K BiCMOS
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DFEDDF274BE1BF80983CEC4D35EDB4FB&yid=FF7AA908D58E97FA&vid=339D79302DF62549&iid=E158A972A605785F&sid=CDA4B3D4BBC566E1&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9