A THz InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with fmax = 325 GHz and BVCBO = 10.6 V
最高振荡频率为325GHz的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管

利用传统的三台面工艺结合BCB平坦化技术，成功研制了一种四指共基极结构的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管（DHBT）。所有的工艺均在3英寸圆片上进行。器件的最高振荡频率达到325GHz，击穿电压达到10.6V。据我们所知，该器件的最高振荡频率和击穿电压是国内报道的InGaAs/InP DHBT中最高的。这种超高速、高击穿的InGaAs/InP DHBT器件，非常适合于亚毫米波及THz方面的应用。