%0 Journal Article
%T A THz InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with fmax = 325 GHz and BVCBO = 10.6 V<br>最高振荡频率为325GHz的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管
%A Cheng Wei
%A Wang Yuan
%A Zhao Yan
%A Lu Haiyan
%A Gao Hanchao
%A Yang Naibin
%A <br>程伟
%A 王元
%A 赵岩
%A 陆海燕
%A 高汉超
%A 杨乃彬
%J 半导体学报
%D 2013
%I 
%X 利用传统的三台面工艺结合BCB平坦化技术，成功研制了一种四指共基极结构的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管（DHBT）。所有的工艺均在3英寸圆片上进行。器件的最高振荡频率达到325GHz，击穿电压达到10.6V。据我们所知，该器件的最高振荡频率和击穿电压是国内报道的InGaAs/InP DHBT中最高的。这种超高速、高击穿的InGaAs/InP DHBT器件，非常适合于亚毫米波及THz方面的应用。
%K InP
%K DHBT
%K THz
%K high breakdown<br>InP
%K 双异质结双极型晶体管
%K 太赫兹
%K 高击穿
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8056E996EE6628B306ED07EBD3066C55&yid=FF7AA908D58E97FA&vid=339D79302DF62549&iid=94C357A881DFC066&sid=CEA8C36EECEB7DAC&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11