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半导体学报 2008
Defects and Properties of Antimony-Doped ZnO Single Crystal
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Abstract:
采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶，生长温度为950℃. 与非掺ZnO单晶相比，掺Sb后ZnO单晶仍为n型，其自由电子浓度明显升高. X射线光电子能谱（XPS）测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位，或处于间隙位置，形成了施主. 利用光致发光谱（PL）测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光，该蓝色荧光与浅施主有关. 这些结果表明在高温生长条件下，掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷，因而难以获得p型材料.
