%0 Journal Article
%T Defects and Properties of Antimony-Doped ZnO Single Crystal<br>掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究
%A Zhang Rui
%A Zhang Fan
%A Zhao Youwen
%A Dong Zhiyuan
%A Yang Jun
%A <br>张瑞
%A 张璠
%A 赵有文
%A 董志远
%A 杨俊
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶，生长温度为950℃. 与非掺ZnO单晶相比，掺Sb后ZnO单晶仍为n型，其自由电子浓度明显升高. X射线光电子能谱（XPS）测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位，或处于间隙位置，形成了施主. 利用光致发光谱（PL）测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光，该蓝色荧光与浅施主有关. 这些结果表明在高温生长条件下，掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷，因而难以获得p型材料.
%K ZnO
%K single crystal
%K doping
%K defect<br>ZnO
%K 单晶
%K 掺杂
%K 缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=599DD8213E6CD45BFF146621F8A81A10&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=0702FE8EC3581E51&eid=116CB34717B0B183&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=34