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ISSN: 2333-9721
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Gate Annealing of an Enhancement-Mode InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT
增强型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT栅退火工艺

Keywords: enhancement-mode,lnGaP/AlGaAs/lnGaAs PHEMT,anneal,threshold voltage,ring oscillator
增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs,PHEMT,退火,阈值电压,环形振荡器

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Abstract:

针对InGaP/AlGaAs/lnGaAs PHEMT器件,进行了Ti/Pt/Au和Pt/Ti/Pt/Au两种栅金属结构的退火实验,通过实验研究比较,得到了更适用于增强型器件的退火工艺,利用Ti/Pt/Au结构,在320℃退火40min,使器件阈值电压正向移动大约200mV,从而成功制作了高成品率的稳定一致的增强型器件,保证了增强型器件阈值电压在零以上.

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