%0 Journal Article
%T Gate Annealing of an Enhancement-Mode InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT<br>增强型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT栅退火工艺
%A Li Ming
%A Zhang Haiying
%A Xu Jingbo
%A Li Xiao
%A Liu Liang
%A Fu Xiaojun
%A <br>黎明
%A 张海英
%A 徐静波
%A 李潇
%A 刘亮
%A 付晓君
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 针对InGaP/AlGaAs/lnGaAs PHEMT器件,进行了Ti/Pt/Au和Pt/Ti/Pt/Au两种栅金属结构的退火实验,通过实验研究比较,得到了更适用于增强型器件的退火工艺,利用Ti/Pt/Au结构,在320℃退火40min,使器件阈值电压正向移动大约200mV,从而成功制作了高成品率的稳定一致的增强型器件,保证了增强型器件阈值电压在零以上.
%K enhancement-mode
%K lnGaP/AlGaAs/lnGaAs PHEMT
%K anneal
%K threshold voltage
%K ring oscillator<br>增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs
%K PHEMT
%K 退火
%K 阈值电压
%K 环形振荡器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=353E2DD104D9AB28FA424467D23CEF85&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=5D311CA918CA9A03&sid=BFA4330C9764AE1A&eid=4EFBE760AF9E3A64&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9