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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
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Capacitance and conductance dispersion in AlGaN/GaN heterostructure
题目:AlGaN/GaN异质结电容与电导色散研究

Keywords: capacitance dispersion,AlGaN/GaN heterostructure,strain relaxation model
电容与电导色散
,AlGaN/GaN异质结,应力弛豫模型

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Abstract:

本文研究Al0.27Ga0.73N/GaN异质结的电容与电导频率色散机制。测量结果表明,色散现象主要发生在频率大于100K Hz和界面沟道未耗尽时,表示肖特基金属下的势垒层中的极化电场与该现象密切相关。根据Schottky-Read-Hall模型,传统的陷阱机制不能够解释测量结果,本文采用压电极化应力弛豫模型分析器件的散射行为。通过对电容数据进行拟合,获得弛豫特征时间与压电极化电荷密度分别为~10-8 s and ~5.26×1012 cm-2,结果与测量的电导数据和理论预测值一致。

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