Band Edge Model of (101)-Biaxial Strained Si
(101)面生长双轴应变Si带边模型

采用结合形变势理论的k·p微扰法建立了(101)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型. 结果表明：［001］, ［001］,［100］及［100］方向能谷构成了该应变Si的导带带边，其能量值随Ge组分的增加而增加；导带劈裂能与Ge组分成正比例线性关系；价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加，而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大；禁带宽度随着Ge组分的增加而变小. 该模型可获得量化的数据，为器件研究设计提供有价值的参考.