%0 Journal Article
%T Band Edge Model of (101)-Biaxial Strained Si<br>(101)面生长双轴应变Si带边模型
%A Song Jianjun
%A Zhang Heming
%A Dai Xianying
%A Hu Huiyong
%A Xuan Rongxi
%A <br>宋建军
%A 张鹤鸣
%A 戴显英
%A 胡辉勇
%A 宣荣喜
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 采用结合形变势理论的k·p微扰法建立了(101)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型. 结果表明：［001］, ［001］,［100］及［100］方向能谷构成了该应变Si的导带带边，其能量值随Ge组分的增加而增加；导带劈裂能与Ge组分成正比例线性关系；价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加，而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大；禁带宽度随着Ge组分的增加而变小. 该模型可获得量化的数据，为器件研究设计提供有价值的参考.
%K 应变Si
%K 带边
%K k·p法
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=407FAF17F95740B4F80BEC522FA66842&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=C134FCA51C2CF9D8&eid=2B71A0B813002B9E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=10