全部 标题 作者
关键词 摘要

OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
投递稿件

查看量下载量

相关文章

更多...

An Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMT with Recessed-Gate
增强型AlGaN/GaN 槽栅HEMT

Keywords: high electron mobility transistors,AlGaN/GaN,recessed-gate,threshold voltage
高电子迁移率晶体管,AlGaN/GaN,槽栅,阈值电压

Full-Text   Cite this paper   Add to My Lib

Abstract:

成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT. 栅长1.2μm，源漏间距4μm，槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm，最大跨导为221mS/mm，阈值电压为0.57V, ft和fmax分别为5.2和9.3GHz. 比较刻蚀前后的肖特基I-V特性，证实了槽栅刻蚀过程中非有意淀积介质层的存在. 深入研究了增强型器件亚阈特性和频率特性.

Full-Text

Contact Us

service@oalib.com

QQ:3279437679

WhatsApp +8615387084133