0.18μm工艺下p-n结电荷收集的三维TCAD模拟

采用三维TCAD模拟的手段，针对0.18μm工艺下的真实p-n结，研究了偏压、温度、衬底掺杂浓度和LET对辐射诱导的SET电流脉冲的影响. 研究结果表明，在1.62～1.98V的范围内，偏压对电流脉冲的形状有明显影响，而对2ns内的电荷收集总量几乎没有影响；电流脉冲峰值和2ns内的电荷收集总量均随着温度的增加而降低，但温度对电流脉冲峰值的影响更大，而对电荷收集总量的影响相对较小；在典型的现代工艺条件下，衬底掺杂浓度的起伏对单粒子加固性能的影响基本可以忽略；电流脉冲的峰值和电荷收集量二者均随着LET的增加而增加.