%0 Journal Article
%T 0.18μm工艺下p-n结电荷收集的三维TCAD模拟
%A 梁斌
%A 陈书明
%A 刘必慰
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 采用三维TCAD模拟的手段，针对0.18μm工艺下的真实p-n结，研究了偏压、温度、衬底掺杂浓度和LET对辐射诱导的SET电流脉冲的影响. 研究结果表明，在1.62～1.98V的范围内，偏压对电流脉冲的形状有明显影响，而对2ns内的电荷收集总量几乎没有影响；电流脉冲峰值和2ns内的电荷收集总量均随着温度的增加而降低，但温度对电流脉冲峰值的影响更大，而对电荷收集总量的影响相对较小；在典型的现代工艺条件下，衬底掺杂浓度的起伏对单粒子加固性能的影响基本可以忽略；电流脉冲的峰值和电荷收集量二者均随着LET的增加而增加.
%K 电荷收集
%K p-n结
%K 超深亚微米
%K 三维器件模拟
%K 辐射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=21489F7801EC5EC25E703075EA28ACB6&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=4C12600E16738B59&eid=A87AC493625B15AF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0