Novel mixed-voltage I/O buffer with thin-oxide CMOS transistors
新型薄栅氧混合电压I/O缓冲器

本文提出了一种没有额外的双栅氧类型CMOS工艺的混合电压I/O缓冲器。这个新的混合电压I/O缓冲器具有简单的电路结构，能够很好的克服泄漏电流和栅氧可靠性问题，这些问题通常出现在常规CMOS I/O缓冲器中。该设计通过0.13-um CMOS工艺验证，并且展示了很好的功耗延迟积性能,大约提升了~34%。