%0 Journal Article
%T Novel mixed-voltage I/O buffer with thin-oxide CMOS transistors<br>新型薄栅氧混合电压I/O缓冲器
%A Yu Bo
%A Wang Yuan
%A Jia Song
%A Zhang Ganggang
%A <br>俞波
%A 王源
%A 贾嵩
%A 张钢刚
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 本文提出了一种没有额外的双栅氧类型CMOS工艺的混合电压I/O缓冲器。这个新的混合电压I/O缓冲器具有简单的电路结构，能够很好的克服泄漏电流和栅氧可靠性问题，这些问题通常出现在常规CMOS I/O缓冲器中。该设计通过0.13-um CMOS工艺验证，并且展示了很好的功耗延迟积性能,大约提升了~34%。
%K mixed-voltage I/O buffer
%K multi-power domain
%K thin-oxide
%K CMOS<br>混合电压I/O缓冲器
%K 多电压域
%K 薄栅氧
%K CMOS
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=658FA3B8730B8E02200AB5122A8BCAF2&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=87F1DC36FEAEC5A6&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0