Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor
利用三氯氢硅(TCS)作为硅源在4H-SiC上外延生长的研究

利用水平热壁CVD系统，分别采用三氯氢硅(TCS)和乙烯作为硅源和碳源，在10mm×10mm 的n型偏晶向4H-SiC衬底上进行了外延生长实验。在1600°C，TCS流量为12sccm，碳硅比为0.42的生长条件下得到了高质量的同质外延层，其10μm×10μm 区域内表面粗糙度为0.64nm，生长速率达23μm/h。同时在1500°C 低生长速率(<5μm/h)下得到了同质外延膜，在1650°C 高生长速率(60~70μm/h)下得到了3C-SiC异质外延膜，可见外延膜晶型与生长温度和生长速率存在一定关系，并且在低碳硅比条件下得到的同质外延膜表面观察到硅滴的存在。