%0 Journal Article
%T Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor<br>利用三氯氢硅(TCS)作为硅源在4H-SiC上外延生长的研究
%A Ji Gang
%A Sun Guosheng
%A Liu Xingfang
%A Wang Lei
%A Zhao Wanshun
%A Zeng Yiping
%A Li Jinmin
%A <br>纪刚
%A 孙国胜
%A 刘兴
%A 王雷
%A 赵万顺
%A 曾一平
%A 李晋闽
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 利用水平热壁CVD系统，分别采用三氯氢硅(TCS)和乙烯作为硅源和碳源，在10mm×10mm 的n型偏晶向4H-SiC衬底上进行了外延生长实验。在1600°C，TCS流量为12sccm，碳硅比为0.42的生长条件下得到了高质量的同质外延层，其10μm×10μm 区域内表面粗糙度为0.64nm，生长速率达23μm/h。同时在1500°C 低生长速率(<5μm/h)下得到了同质外延膜，在1650°C 高生长速率(60~70μm/h)下得到了3C-SiC异质外延膜，可见外延膜晶型与生长温度和生长速率存在一定关系，并且在低碳硅比条件下得到的同质外延膜表面观察到硅滴的存在。
%K 4H-SiC
%K TCS
%K epitaxial growth
%K growth rate<br>4H-SiC
%K TCS
%K 外延生长
%K 生长速率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=504F76E80C0D6870EC3DA7716B765E2A&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=3C6DF5DC81EDAA43&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0