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半导体学报 2008
Etching Process of Back-Illuminated ZnO Ultraviolet Focal Plane Array Imagers
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Abstract:
研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺. 该ZnO焦平面阵列为128×128阵列，每个单元面积为25μm×25μm，对该阵列的刻蚀结果进行了研究分析. 刻蚀后阵列单元的剖面角约为80°. 在刻蚀过程中，刻蚀深度和刻蚀时间呈线性关系. 还研究了NH4Cl溶液浓度和刻蚀速率之间的关系. 时刻蚀后的阵列单元进行了光电响应的测试，得到明暗电流比约为60∶1.
