%0 Journal Article
%T Etching Process of Back-Illuminated ZnO Ultraviolet Focal Plane Array Imagers<br>背照式ZnO紫外焦平面成像阵列制作的刻蚀研究
%A Gao Qun
%A Zhang Jingwen
%A Hou Xun
%A <br>高群
%A 张景文
%A 侯 洵
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺. 该ZnO焦平面阵列为128×128阵列，每个单元面积为25μm×25μm，对该阵列的刻蚀结果进行了研究分析. 刻蚀后阵列单元的剖面角约为80°. 在刻蚀过程中，刻蚀深度和刻蚀时间呈线性关系. 还研究了NH4Cl溶液浓度和刻蚀速率之间的关系. 时刻蚀后的阵列单元进行了光电响应的测试，得到明暗电流比约为60∶1.
%K etching
%K NH4Cl
%K focal plane array<br>刻蚀
%K NH4Cl
%K 焦平面阵列
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=715A295741665DD7D159AC3CAE8609D9&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=59906B3B2830C2C5&sid=A3156C1F05B10DD1&eid=62430EC5AE2C2006&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11