Te vapor annealing of indium-doped CdMnTe crystals
In掺杂CdMnTe晶体的Te气氛退火研究

本文采用Te气氛退火来提高垂直布里奇曼法生长的In掺杂Cd1-xMnxTe (x=0.2)晶片的性能。测试了退火前后晶片的Te夹杂相、腐蚀坑密度、Mn成分、电阻率和杂质含量。红外透过显微镜和腐蚀坑密度测试表明退火后晶片的Te夹杂相密度从(5-9)×104 cm-3 降低到 (2-4)×104 cm-3，位错密度由105 cm-2降低到104 cm-2。 近红外光透过光谱显示退火后晶片的Mn含量提高了0.002-0.005摩尔比。晶片的电阻率从 (2.0-4.5)×108 Ω?cm提高到(1.7-3.8)×109 Ω?cm，表明退火过程引入了深能级施主Te反位。电感耦合等离子质谱仪显示晶片中的杂质含量降低，证明了Te气氛退火的提纯效应。