%0 Journal Article
%T Te vapor annealing of indium-doped CdMnTe crystals<br>In掺杂CdMnTe晶体的Te气氛退火研究
%A Zhang Jijun
%A Wang Linjun
%A Min Jiahu
%A Qin Kaifeng
%A Shi Zhubin
%A Liang Xiaoyan
%A <br>张继军
%A 王林军
%A 闵嘉华
%A 秦凯丰
%A 施朱斌
%A 梁小燕
%J 半导体学报
%D 2013
%I 
%X 本文采用Te气氛退火来提高垂直布里奇曼法生长的In掺杂Cd1-xMnxTe (x=0.2)晶片的性能。测试了退火前后晶片的Te夹杂相、腐蚀坑密度、Mn成分、电阻率和杂质含量。红外透过显微镜和腐蚀坑密度测试表明退火后晶片的Te夹杂相密度从(5-9)×104 cm-3 降低到 (2-4)×104 cm-3，位错密度由105 cm-2降低到104 cm-2。 近红外光透过光谱显示退火后晶片的Mn含量提高了0.002-0.005摩尔比。晶片的电阻率从 (2.0-4.5)×108 Ω?cm提高到(1.7-3.8)×109 Ω?cm，表明退火过程引入了深能级施主Te反位。电感耦合等离子质谱仪显示晶片中的杂质含量降低，证明了Te气氛退火的提纯效应。
%K Cd1-xMnxTe
%K indium dopant
%K Te vapor annealing
%K resistivity
%K impurity<br>碲锰镉，In掺杂，Te气氛退火，电阻率，杂质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4D6BB6A422263A450EAD51BE81B06B27&yid=FF7AA908D58E97FA&vid=339D79302DF62549&iid=38B194292C032A66&sid=F4C72E15474DAF6B&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16