A high performance carrier stored trench bipolar transistor with a field-modified P-base region
一种具有电场调制型P型基区的高性能CSTBT

本文提出了一种具有电场调制型P型基区的新型高性能少子存储槽栅双极型晶体管（CSTBT)。本结构通过在漂移区中插入P型条使P型基区延伸至与栅极底部相平齐以实现对槽栅边缘处电场的调制，进而抑制了器件由于栅极边缘电场集聚而引起的提前击穿。新的P型基区结构中所包含的P型条还为少子空穴的输运提供了额外的通道，使器件的开关速度得到提高。仿真结果显示，相比于常规的CSTBT结构, 本文提出的新型CSTBT的耐压提高了近430 V，实现了雪崩击穿。同时，在相同的槽栅长度下，新型CSTBT的关断时间下降了0.3 μs（17%）。