%0 Journal Article
%T A high performance carrier stored trench bipolar transistor with a field-modified P-base region<br>一种具有电场调制型P型基区的高性能CSTBT
%A Qi Yue
%A Wang Zhigang
%A Chen Wanjun
%A Zhang Bo
%A <br>齐跃
%A 汪志刚
%A 陈万军
%A 张波
%J 半导体学报
%D 2013
%I 
%X 本文提出了一种具有电场调制型P型基区的新型高性能少子存储槽栅双极型晶体管（CSTBT)。本结构通过在漂移区中插入P型条使P型基区延伸至与栅极底部相平齐以实现对槽栅边缘处电场的调制，进而抑制了器件由于栅极边缘电场集聚而引起的提前击穿。新的P型基区结构中所包含的P型条还为少子空穴的输运提供了额外的通道，使器件的开关速度得到提高。仿真结果显示，相比于常规的CSTBT结构, 本文提出的新型CSTBT的耐压提高了近430 V，实现了雪崩击穿。同时，在相同的槽栅长度下，新型CSTBT的关断时间下降了0.3 μs（17%）。
%K field-modified P-base region
%K high breakdown voltage
%K fast switching
%K CSTBT<br>电场调制型P型基区
%K 高耐压
%K 快速开关
%K CSTBT
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DFEDDF274BE1BF80B7EF570D5BFA4897&yid=FF7AA908D58E97FA&vid=339D79302DF62549&iid=E158A972A605785F&sid=327EC63DEB9FC7E6&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=17