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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Characteristics of Annealing of InN Films
InN薄膜的退火特性
Xie Zili, Zhang Rong, Xiu Xiangqian, Bi Zhaoxi, Liu Bin, Pu Lin, Chen Dunjun, Han Ping, Gu Shulin, Jiang Ruoliang, Zhu Shunming, Zhao Hong, Shi Yi, Zheng Youdou,
谢自力, 张 荣, 修向前, 毕朝霞, 刘 斌, 濮 林, 陈敦军, 韩 平, 顾书林, 江若琏, 朱顺明, 赵 红, 施 毅, 郑有炓
Keywords: InN,annealing,XRD,SEM,XPS
InN,热退火,X射线衍射,扫描电子显微镜,X射线光电子谱,薄膜,退火特性,Films,Annealing,结构缺陷,高密度,差异,金属,接触,退火气氛,隔离,现象,颗粒密度,表面聚集,吸附作用,温度高,原子,高温退火,变化,退火温度
Abstract:
对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量. Full-Text
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