%0 Journal Article
%T Characteristics of Annealing of InN Films<br>InN薄膜的退火特性
%A Xie Zili
%A Zhang Rong
%A Xiu Xiangqian
%A Bi Zhaoxi
%A Liu Bin
%A Pu Lin
%A Chen Dunjun
%A Han Ping
%A Gu Shulin
%A Jiang Ruoliang
%A Zhu Shunming
%A Zhao Hong
%A Shi Yi
%A Zheng Youdou
%A <br>谢自力
%A 张 荣
%A 修向前
%A 毕朝霞
%A 刘 斌
%A 濮 林
%A 陈敦军
%A 韩 平
%A 顾书林
%A 江若琏
%A 朱顺明
%A 赵 红
%A 施 毅
%A 郑有炓
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.
%K InN
%K annealing
%K XRD
%K SEM
%K XPS<br>InN
%K 热退火
%K X射线衍射
%K 扫描电子显微镜
%K X射线光电子谱
%K 薄膜
%K 退火特性
%K Films
%K Annealing
%K 结构缺陷
%K 高密度
%K 差异
%K 金属
%K 接触
%K 退火气氛
%K 隔离
%K 现象
%K 颗粒密度
%K 表面聚集
%K 吸附作用
%K 温度高
%K 原子
%K 高温退火
%K 变化
%K 退火温度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7AD2B2168CD7B672&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=0B39A22176CE99FB&sid=9D9F10A828991FA6&eid=A04F01817ECB9A48&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7