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半导体学报 2013
A -3 dBm RF transmitter front-end for 802.11g application
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Abstract:
-本文提出一种0.13μm CMOS工艺下的直接变换射频发射前端结构。这种结构包括上变换器和功率驱动放大器等关键部件,射频频率为2.4GHz,可用于稳定传输54Mb/s OFDM信号。在输出功率为-3dBm时,相应的EVM可以达到-27dB,可以满足802.11g对于EVM小于-25dB的要求。由于采用了射频可变增益放大器(RFVGA),本结构可以发射从-14.3dBm到-3.7dBm的功率,每一步的步长为0.8dB(20%),能够覆盖由于工作温度和工艺引起的输出功率变化范围。功率检测器(PDET)检测输出信号强度并把表征输出功率的电压信号传给基带电路(baseband)从而可以控制输出功率。