%0 Journal Article
%T A -3 dBm RF transmitter front-end for 802.11g application<br>输出功率-3dBm的射频发射前端在802.11g中的应用
%A Zhao Jinxin
%A Yan Jun
%A Shi Yin
%A <br>赵锦鑫
%A 颜峻
%A 石寅
%J 半导体学报
%D 2013
%I 
%X -本文提出一种0.13μm CMOS工艺下的直接变换射频发射前端结构。这种结构包括上变换器和功率驱动放大器等关键部件,射频频率为2.4GHz,可用于稳定传输54Mb/s OFDM信号。在输出功率为-3dBm时,相应的EVM可以达到-27dB,可以满足802.11g对于EVM小于-25dB的要求。由于采用了射频可变增益放大器(RFVGA),本结构可以发射从-14.3dBm到-3.7dBm的功率,每一步的步长为0.8dB(20%),能够覆盖由于工作温度和工艺引起的输出功率变化范围。功率检测器(PDET)检测输出信号强度并把表征输出功率的电压信号传给基带电路(baseband)从而可以控制输出功率。
%K 802
%K 11g
%K RF transmitter front-end
%K up converter
%K RFVGA
%K PA driver
%K EVM<br>802.11g，射频发射前端，上变换器，射频可变增益放大器，功率驱动放大器，误差矢量值（EVM），功率检测器（PDET）
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DFEDDF274BE1BF80D0BB178C08E7F8F7&yid=FF7AA908D58E97FA&vid=339D79302DF62549&iid=E158A972A605785F&sid=8FD5CBA19638ED19&eid=DF92D298D3FF1E6E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13