Raman analysis of epitaxial graphene on 6H-SiC (000-1) substrates under low pressure environment
Raman analysis of epitaxial graphene on 6H-SiC （0001） substrates under low pressure environment＊

Keywords: epitaxial graphene,Raman spectroscopy,turbostratic graphite,SiC
石墨结构,拉曼分析,环境压力,SiC,衬底,扫描电子显微镜,低压,生长温度

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Abstract:

本文探索在低压（2mbar）真空环境下在6H-Si(000-1)衬底上外延生长石墨烯的形成机理。结果显示，生长温度极大的影响着SiC热分解过程中石墨烯的形成和质量，更高的生长温度可以降低衬底对石墨烯的影响，也有利于高质量石墨烯的生成。通过对Raman光谱数据进行分析，表明在1600℃时生成的石墨烯具有turbostratic 石墨结构。扫描电子显微镜显示石墨烯的尺寸约在10微米左右，这为制备大尺寸的外延石墨烯提供新的方法。

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