%0 Journal Article
%T Raman analysis of epitaxial graphene on 6H-SiC (000-1) substrates under low pressure environment<br>Raman analysis of epitaxial graphene on 6H-SiC （0001） substrates under low pressure environment＊
%A Wang Dangchao
%A Zhang Yuming
%A Zhang Yimen
%A Lei Tianmin
%A Guo Hui
%A Wang Yuehu
%A Tang Xiaoyan
%A Wang Hang
%A <br>王党朝
%A 张玉明
%A 张义门
%A 雷天民
%A 郭辉
%A 王悦湖
%A 汤晓燕
%A 王航
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 本文探索在低压（2mbar）真空环境下在6H-Si(000-1)衬底上外延生长石墨烯的形成机理。结果显示，生长温度极大的影响着SiC热分解过程中石墨烯的形成和质量，更高的生长温度可以降低衬底对石墨烯的影响，也有利于高质量石墨烯的生成。通过对Raman光谱数据进行分析，表明在1600℃时生成的石墨烯具有turbostratic 石墨结构。扫描电子显微镜显示石墨烯的尺寸约在10微米左右，这为制备大尺寸的外延石墨烯提供新的方法。
%K epitaxial graphene
%K Raman spectroscopy
%K turbostratic graphite
%K SiC<br>石墨结构
%K 拉曼分析
%K 环境压力
%K SiC
%K 衬底
%K 扫描电子显微镜
%K 低压
%K 生长温度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A0C0AC355ED3D774A44C89002BBF3A19&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=708DD6B15D2464E8&sid=BBA06212B1FB0EA3&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=28