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半导体学报 2008
键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器Keywords: 垂直腔面发射激光器,晶片直接键合,隧道结 Abstract: 设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜（DBR）构成的垂直腔面发射激光器（VCSEL) . 采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合，并经过侧向湿法腐蚀定义电流限制孔径和沉积介质薄膜DBR等关键器件工艺，研制出InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器，其阈值电流为13.5mA，单模激射波长为1288.6nm.
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