%0 Journal Article
%T 键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器
%A 劳燕锋
%A 曹春芳
%A 吴惠桢
%A 曹萌
%A 刘成
%A 谢正生
%A 龚谦
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜（DBR）构成的垂直腔面发射激光器（VCSEL) . 采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合，并经过侧向湿法腐蚀定义电流限制孔径和沉积介质薄膜DBR等关键器件工艺，研制出InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器，其阈值电流为13.5mA，单模激射波长为1288.6nm.
%K 垂直腔面发射激光器
%K 晶片直接键合
%K 隧道结
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3445AEDBEF0CDDA31E7A04BC966A03C5&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=708DD6B15D2464E8&sid=801EBB10B04CA7DA&eid=8B30EADB51481F94&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=23