1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy

报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器. 室温带边发射峰的半高宽小于35meV，表明量子点大小比较均匀. 原子力显微镜图像显示，量子点密度可以控制在(1～7)E10cm-2范围之内，而面密度处于4E10cm-2时有良好的光致发光谱性能. 含有三到五层1.3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.