MEXTRAM model based SiGe HBT large-signal modeling
一种提高的SiGe HBT实用模型

提出了一种新的基于MEXTRAM 504模型的SiGe异质结双极晶体管大信号模型。模型在保持MEXTRAM 504主要特征的条件下，省略了一些寄生效应，简化了参数提取过程。模型增加了软膝效应，软膝效应参数通过直流输出特性曲线拟合提取。模型的有效性是通过AMS 0.35um BiCMOS工艺加工的发射结面积为1×8 um2的SiGe HBT在直流，交流（50MHz-20GHz）条件下的测试数据验证的。结果表明，增加软膝效应后，模型的精度有所提高。模型由Verilog-A开发，使用ADS电路仿真器。