%0 Journal Article
%T MEXTRAM model based SiGe HBT large-signal modeling<br>一种提高的SiGe HBT实用模型
%A Han Bo
%A Li Shoulin
%A Cheng Jiali
%A Yin Qiuyan
%A Gao Jianjun
%A <br>韩波
%A 李寿林
%A 程加力
%A 尹秋艳
%A 高建军
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 提出了一种新的基于MEXTRAM 504模型的SiGe异质结双极晶体管大信号模型。模型在保持MEXTRAM 504主要特征的条件下，省略了一些寄生效应，简化了参数提取过程。模型增加了软膝效应，软膝效应参数通过直流输出特性曲线拟合提取。模型的有效性是通过AMS 0.35um BiCMOS工艺加工的发射结面积为1×8 um2的SiGe HBT在直流，交流（50MHz-20GHz）条件下的测试数据验证的。结果表明，增加软膝效应后，模型的精度有所提高。模型由Verilog-A开发，使用ADS电路仿真器。
%K heterojunction bipolar transistor
%K large-signal model
%K Verilog-A
%K soft knee effect
%K MEXTRAM model<br>异质结双极晶体管
%K 大信号模型
%K Verilog-A
%K 软膝效应
%K MEXTRAM模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=69ABA889CD00CE3997B3DC82D1D3B803&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=86A1F3B83D6F1551&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0