|
|
半导体学报 2008
Synthesis of SiC Nanowires via Multiple VS Reactions
|
Abstract:
以硅片、石墨和SiO2粉末为原料，通过多重气固反应成功地制备出一维SiC纳米线. X射线衍射仪分析表明生成产物为立方结构的β-SiC. 利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察，该一维SiC纳米线的直径为30~50nm，长度可达几十甚至上百微米，为沿［111］方向生长的单晶β-SiC纳米线. 根据多次对比实验的结果，由多重气固(VS)反应提出了该方法制备SiC纳米线的生长机理.
