%0 Journal Article
%T Synthesis of SiC Nanowires via Multiple VS Reactions<br>多重气固反应制备一维SiC纳米线
%A Li Jialin
%A Tang Yuanhong
%A Li Xiaoxiang
%A Li Xiaochuan
%A <br>李甲林
%A 唐元洪
%A 李小祥
%A 李晓川
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 以硅片、石墨和SiO2粉末为原料，通过多重气固反应成功地制备出一维SiC纳米线. X射线衍射仪分析表明生成产物为立方结构的β-SiC. 利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察，该一维SiC纳米线的直径为30~50nm，长度可达几十甚至上百微米，为沿［111］方向生长的单晶β-SiC纳米线. 根据多次对比实验的结果，由多重气固(VS)反应提出了该方法制备SiC纳米线的生长机理.
%K SiC nanowires
%K multiple VS reactions
%K mechanism<br>SiC纳米线
%K 多重气固反应
%K 生长机理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=757117F3B7DC5641224BFE0055215215&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=D324B2A670A93426&eid=2FA47D7E22372F11&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=15