Photoelectric properties of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by thermal evaporation
用热蒸发法制备的Cu2ZnSnS4 薄膜的光电性能

在室温下用真空热蒸发法在玻璃基片上制备Sn/Cu/ZnS 前躯体膜层，然后对其在550C 下在硫气氛中硫化3小时以制得Cu2ZnSnS4 (CZTS) 多晶薄膜。对该薄膜进行X射线衍射（XRD）、能量色散X射线光谱（EDX）、紫外可见近红外分光光度计、霍尔测量系统和3D光学显微镜等分析测试。实验结果表明，当Cu]/(Zn] Sn]) =0.83和Zn]/Sn] =1.15时，该CZTS薄膜在光子能量范围在1.5 - 3.5 eV 时其吸收系数大于4.0104cm-1 ，直接带隙为1.47 eV。其载流子浓度、电阻率和迁移率分别为7.971016 cm-3, 6.06 Ω.cm, 12.9 cm2/(V.s), 导电类型为p型。因此，所制备出的CZTS 薄膜适合作为太阳电池的吸收层材料。