%0 Journal Article
%T Photoelectric properties of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by thermal evaporation<br>用热蒸发法制备的Cu2ZnSnS4 薄膜的光电性能
%A Wu Xinkun
%A Liu Wei
%A Cheng Shuying
%A Lai Yunfeng
%A Jia Hongjie
%A <br>吴新坤
%A 柳伟
%A 程树英
%A 赖云锋
%A 贾宏杰
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 在室温下用真空热蒸发法在玻璃基片上制备Sn/Cu/ZnS 前躯体膜层，然后对其在550C 下在硫气氛中硫化3小时以制得Cu2ZnSnS4 (CZTS) 多晶薄膜。对该薄膜进行X射线衍射（XRD）、能量色散X射线光谱（EDX）、紫外可见近红外分光光度计、霍尔测量系统和3D光学显微镜等分析测试。实验结果表明，当Cu]/(Zn] Sn]) =0.83和Zn]/Sn] =1.15时，该CZTS薄膜在光子能量范围在1.5 - 3.5 eV 时其吸收系数大于4.0104cm-1 ，直接带隙为1.47 eV。其载流子浓度、电阻率和迁移率分别为7.971016 cm-3, 6.06 Ω.cm, 12.9 cm2/(V.s), 导电类型为p型。因此，所制备出的CZTS 薄膜适合作为太阳电池的吸收层材料。
%K Cu2ZnSnS4
%K evaporation
%K optical properties
%K electrical properties<br>Cu2ZnSnS4
%K 薄膜，热蒸发，光学性能，电学性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4CFB0EE1AD3DD1DF8C196AA01DF10FA1&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=0B39A22176CE99FB&sid=1993734671F0AA68&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9