A High Performance AlGaN/GaN HEMT with a New Method for T-Gate Layout Design
应用一种新T形栅版图设计方法的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管. 由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图，因此可以自由地改变T形栅的宽窄比（T形栅头部尺寸与栅长的比值）并优化T形栅的形状. 所得的0.18μm栅长的器件，其特征频率（fT）为65GHz, T形栅的宽窄比为10. 同时，测得的峰值跨导为287mS/mm，最大电流密度为980mA/mm.