%0 Journal Article
%T A High Performance AlGaN/GaN HEMT with a New Method for T-Gate Layout Design<br>应用一种新T形栅版图设计方法的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
%A Chen Zhigang
%A Zhang Yang
%A Luo Weijun
%A Zhang Renping
%A Yang Fuhu
%A Wang Xiaoliang
%A Li Jinmin
%A <br>陈志刚
%A 张杨
%A 罗卫军
%A 张仁平
%A 杨富华
%A 王晓亮
%A 李晋闽
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管. 由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图，因此可以自由地改变T形栅的宽窄比（T形栅头部尺寸与栅长的比值）并优化T形栅的形状. 所得的0.18μm栅长的器件，其特征频率（fT）为65GHz, T形栅的宽窄比为10. 同时，测得的峰值跨导为287mS/mm，最大电流密度为980mA/mm.
%K GaN
%K HEMT
%K T-gate
%K layout<br>GaN
%K HEMT
%K T形栅
%K 版图
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1A4738B0B47F84105AD9DF00234AAB0D&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=ED2274D65CDCCA90&eid=4F4D699E68EBCB79&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5