基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的2.4GHz功率放大器

本文报道了基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的2.4GHz功率放大器的设计。为了降低PCB上的寄生效应，提高电路稳定性和增益，设计了带台面的金属板使芯片通过台面接地而避免通过PCB过孔接地。另外，输出匹配网络中采用了低通匹配形式，提高了电路的线性度和功率输出能力。在2.4GHz，测得1dB压缩点输出功率为15.7dBm，线性增益为27.6dB，S11和S22分别低于-7dB和-15dB。